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第246章改变历史的能力（第1页）

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1958年7月，国内成功拉制出第一根硅单晶，并在此基础上，提高材料质量和改进技术工艺，于1959年实现了硅单晶的实用化。

1958年8月，为研制高技术专用109计算机，我国第一个半导体器件生产厂成立，命名为“109厂”

，作为高技术半导体器件和集成电路研制生产试点工厂！

1963年制造出国产硅平面型晶体管。

1965年，国内自主研制的第一块单片集成电路诞生，步入集成电路时代仅比米国晚了7年，但是比H国早10年。

1966年109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功我国第一台65型接触式光刻机，由魔都无线电专用设备厂进行生产并向全国推广。

1969年109厂与丹东精密仪器厂协作，研制成功全自动步进重复照相机，套刻精度达3微米，后由京北700厂批量生产并向全国推广。

随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等等领域取得了非常大进展，打下了硅集成电路研究的基础！

1975年，京北大学物理系半导体研究小组完成硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1KDRAM，比国外要晚五年。

1975年，魔都无线电十四厂成功开发出当时国内最高水平的1024位移位存储器，达到国外同期水平；同年，中科院109厂生产出第一块1024位动态随机存储器，这一技术尽管比米国、J国晚了四五年，但是比H国要早四五年。

1978年，科学院半导体研究所成功研制4KDRAM，1979年在109厂成功投产，平均成品率达28%。

1980年，科学院半导体研究所成功研制16KDRAM，1981年在109厂成功投产。

1988年，甘省天水天光集成电路厂分厂被改组为华越微电子公司，建立了国内第一座4英寸晶圆厂！

国内，在芯片产业，是有这个坚实的底子的，起码在没有进入纳米级之前，国内虽然落后国外，但是差距不大！

自从光刻机成功，国家像H国帮助3X集团一样，举国之力帮助赵岂年旗下的芯片公司！

在现在这个特殊的时间点，用了5年时间，终于追平了和国外的差距，如果是2010年之后追赶，没有20年时间不可能追上！

本来就有这个底子，不是从无到有，加上天时，地利，资金，技术达到了完美的结合，完成了这个不可能完成的任务！

！

赵岂年本来是准备彻底国产之后才让这一切见光，但是这一次不得不提前！

其实，赵岂年心里清楚，芯片产业还没有做到自给自足，还是有水分的，哪怕“偷”

了5年时光，哪怕举国之力，依旧做不到完全国产！

在这个过程中，赵岂年基本“搞死”

了台积公司，像某能搞死国内很多公司一样，台积可是曾经台省最强的科技公司，所以台省要反击赵岂年！

不仅搞了台积，赵岂年更是想法设法的限制3X集团在芯片领域的发展，同时通过专利进行技术壁垒的堆砌，阻挡对方！

这四年，赵岂年更是暗中到处挖墙角，更是在以色国成立了两家芯片研发中心，米国成立了一家，国内更是汇聚了大批人才！

这四年，赵岂年一直在进行培养芯片设计的人才，挖人才！

“光速I”